国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

SOI横向MOSFET器件和集成电路

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
  本发明提供一种SOI横向MOSFET器件和集成电路,所述器件中,有源层(3)包括分别位于有源层(3)的表面并且相互分离的体区(9)和漏区(12)、以及位于体区(9)的表面并且从靠近漏区(12)的一侧起按顺序设置的平面栅沟道区(14')、源区(11a)、体接触区(10)和源区(11b);位于体区(9)和漏区(12)之间的有源层(3)为漂移区,漂移区和体区(9)的导电类型相反;有源层(3)在其表面...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统